其實半導(dǎo)體雜質(zhì)補償標準的問題并不復(fù)雜，但是又很多的朋友都不太了解如果一個純凈的半導(dǎo)體中,既加入受主雜質(zhì),又加入施主雜質(zhì),它會變成P型半導(dǎo)體還是N型半導(dǎo)體？，因此呢，今天小編就來為大家分享半導(dǎo)體雜質(zhì)補償標準的一些知識，希望可以幫助到大家，下面我們一起來看看這個問題的分析吧！

本文目錄

1. n型半導(dǎo)體帶電嗎？為什么？4.半導(dǎo)體分哪幾種？各有什么特點？
2. 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識入門？
3. 如果一個純凈的半導(dǎo)體中,既加入受主雜質(zhì),又加入施主雜質(zhì),它會變成P型半導(dǎo)體還是N型半導(dǎo)體？
4. 純凈半導(dǎo)體是什么？
5. 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，溫度變化時，載流子的數(shù)目變化嗎？

n型半導(dǎo)體帶電嗎？為什么？4.半導(dǎo)體分哪幾種？各有什么特點？

不帶電。

n型半導(dǎo)體是指在本征半導(dǎo)體中加入五價元素，每一個五價元素原子與四個四價半導(dǎo)體元素原子形成四對共用電子對（每一對電子對由半導(dǎo)體元素原子與該五價元素原子各提供一個電子），這樣五價元素原子因四對八個共用電子而達到最外層電子穩(wěn)定，于是多出來的一個電子（因為形成共用電子對時五價元素原子只貢獻了4個電子）就成為自由電子，這就是n型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子。

但是盡管如此，n型半導(dǎo)體還是不帶電。

因為加入五價元素后所有原子的質(zhì)子數(shù)與所有原子的電子數(shù)仍然相等，在加入五價元素后，在載流子的形成過程中不存在系統(tǒng)對外電子的失去或得到。

因此整個系統(tǒng)還是靜電平衡，因此，不帶電。

半導(dǎo)體一般分為本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體。

雜質(zhì)半導(dǎo)體根據(jù)摻入元素價態(tài)的不同又分為n型半導(dǎo)體（摻入五價元素）與p型半導(dǎo)體（摻入三價元素）。

本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差，其中電子和空穴都參與導(dǎo)電，而電子和空穴都是熱激發(fā)形成的。

因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性具有溫度敏感性。

雜質(zhì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性能要好于本征半導(dǎo)體。

同時雜質(zhì)半導(dǎo)體主要是多子（多數(shù)載流子）導(dǎo)電。

這是因為五價或三價元素摻入的過程使多子數(shù)量遠多于少子數(shù)量。

其中n型半導(dǎo)體多子為自由電子，p型半導(dǎo)體多子為空穴。

因為雜質(zhì)半導(dǎo)體多子數(shù)量主要和摻入雜質(zhì)數(shù)量有關(guān)，因此其多子幾乎不受溫度影響。

但其導(dǎo)電性對溫度也比較敏感，這是因為質(zhì)半導(dǎo)體中的少子還是受熱激發(fā)產(chǎn)生的，因此也受溫度影響。

半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識入門？

半導(dǎo)體是構(gòu)成電子電路的基本元件，經(jīng)過不同的工藝加工之后，半導(dǎo)體會表現(xiàn)除不同的特征，在此主要介紹半導(dǎo)體、本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體、PN結(jié)。

1.半導(dǎo)體

絕緣體和導(dǎo)體是我們很熟悉的東西。半導(dǎo)體則是導(dǎo)電性能上面低于導(dǎo)體高于絕緣體的這么一個東東。本質(zhì)上物質(zhì)的導(dǎo)電性能決定于原子結(jié)構(gòu)，原子最外層電子極易與掙脫原子核的束縛成為自由電子（導(dǎo)體），最外層電子很難掙脫束縛（絕緣體），處在二者之間的即為半導(dǎo)體。

2.本征半導(dǎo)體

經(jīng)過一定的工藝將半導(dǎo)體做成原子結(jié)構(gòu)很規(guī)整的結(jié)構(gòu)就是本征半導(dǎo)體了。這種排列整齊的原子結(jié)構(gòu)中，每個原子核外層都圍繞著的電子。原子與原子之間也是有規(guī)整的相互緊挨著。原子之間就出現(xiàn)了共用電子，這種的共同電子稱為共價鍵。

如果這種共價鍵掙脫了束縛，變成了自由電子。那么原來的k共價鍵的位置就是空的了，稱為空穴。自由電子是帶電的，與此同時最初的原子結(jié)構(gòu)是原子核和核外電子相互制衡的，現(xiàn)在共價鍵掙脫了束縛，相互制衡的狀態(tài)就被打破了，所以空穴也是帶電的。

如果在本征半導(dǎo)體兩端加一個電廠，自由電子將會按照一個定向的方向移動，而在這個方向上的空穴，會被移動過來的自由電子填充，如果以自由電子當作參考點，相對的看，也可以認為空穴按照相反的方向運動。y自由電子和空穴帶的電荷極性是相反的，所以，本征半導(dǎo)體中的電流是兩個電流之和。

3.雜質(zhì)半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中參入雜質(zhì)就變成了雜質(zhì)半導(dǎo)體。參入的雜質(zhì)的不同，半導(dǎo)體就被分為N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。

以硅材料的半導(dǎo)體為例。硅原子本質(zhì)是四價元素，如果參入了五價元素就變成了N型半導(dǎo)體，參入三價元素就變成了P型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體，由于參入的是五價元素，也就是一個原子核的外邊有五個電子。硅原子的核外電子只有四個，相比于硅元素，多出來一個電子。那么自由電子就是多數(shù)N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子。同樣的P型半導(dǎo)體參入的是三價元素，相比于硅元素少一個電子，y也就是多一個空穴。那么P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子就是空穴。

無論是P型半導(dǎo)體還是N型半導(dǎo)體，導(dǎo)電性能都相比于過去變強了。

4.PN結(jié)

如果通過特殊工藝，將一個硅片一半做成P型半導(dǎo)體，另一半做成N型半導(dǎo)體。那么P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體交界面就是PN結(jié)了。

上面有講到什么來著，N型半導(dǎo)體是通過往本征半導(dǎo)體中參入五價元素形成的，P型半導(dǎo)體是通過往本征半導(dǎo)體中參入三價元素形成的。也就是說N型半導(dǎo)體多了很多自由電子（多數(shù)載流子），P型半導(dǎo)體多了很多空穴（多數(shù)載流子）。那么此時，一半硅片上面多出來很多自由電子，一半硅片上面多出來很多空穴。物質(zhì)總是從濃度高的地方向濃度低的地方運動（擴散運動）。N區(qū)自由電子必然會

往P區(qū)擴散，相對的P區(qū)的空穴也會往N區(qū)擴散，經(jīng)過擴散作用導(dǎo)致空穴與自由電子相互復(fù)合，所以交界面附近多數(shù)載流子的濃度就會下降。經(jīng)過長時間的

擴散運動，PN結(jié)會達到動態(tài)平衡，但是如果在PN結(jié)兩端加上電壓，這種平衡就會被破壞，外加電壓的機型不同，PN結(jié)表現(xiàn)出截然不同的導(dǎo)電性（原因，P

N區(qū)多數(shù)載流子分別是不同的，如果電壓加反了，本身就缺少的東東，還要往另一個方送，另一方恰恰最不缺的就是這個東東，動動腦筋）。所以PN結(jié)呈現(xiàn)單向?qū)щ娦浴?/p>

如果一個純凈的半導(dǎo)體中,既加入受主雜質(zhì),又加入施主雜質(zhì),它會變成P型半導(dǎo)體還是N型半導(dǎo)體？

一個純凈的半導(dǎo)體中,既加入受

主雜質(zhì),又加入施主雜質(zhì)，受主雜質(zhì)濃度高就是P型半導(dǎo)體，施主雜質(zhì)濃度高就是N型半導(dǎo)體，雜質(zhì)濃度相差不大為混合型。

摻雜半導(dǎo)體隨著溫度升高，不能轉(zhuǎn)變?yōu)楸菊靼雽?dǎo)體，只能在電阻率方面呈現(xiàn)本征半導(dǎo)體的特性，高溫高壓有可能轉(zhuǎn)變?yōu)槌瑢?dǎo)。

純凈半導(dǎo)體是什么？

單純只有一個元素組成的半導(dǎo)體原材料叫純凈半導(dǎo)體

例如：鍺，硅，高溫精煉成形后可以是柱狀或棒狀，因為純凈所以沒有任何半導(dǎo)體功能。

雜質(zhì)性半導(dǎo)體是在鍺，硅等純凈化的原材料上加上少量微量五價或三價元素，叫做雜質(zhì)性半導(dǎo)體，就是具有“電子價能量”的半導(dǎo)體。一般來說分為正價P和負價N兩種。

在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，溫度變化時，載流子的數(shù)目變化嗎？

（1）在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，溫度變化時，載流子的數(shù)目變化（2）溫度升高載流子的數(shù)目變多，漏電電流增大，線性變差，負反饋就是針對這個現(xiàn)象設(shè)計的。

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