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本文目錄

1. 霍爾元件輸出電壓偏小？
2. 霍爾元件靈敏度是多少？
3. 霍爾元件能轉(zhuǎn)換哪兩個(gè)物理量？
4. 霍爾元件推導(dǎo)公式？
5. 霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中kb怎么求？

霍爾元件輸出電壓偏小？

如果兩輸出端構(gòu)成外回路，就會(huì)產(chǎn)生霍爾電流。

一般地說(shuō)，偏置電流的設(shè)定通常由外部的基準(zhǔn)電壓源給出；若精度要求高，則基準(zhǔn)電壓源均用恒流源取代。

為了達(dá)到高的靈敏度，有的霍爾元件的傳感面上裝有高導(dǎo)磁系數(shù)的鍍膜合金；這類傳感器的霍爾電勢(shì)較大，但在0.05T左右出現(xiàn)飽和，僅適用在低量限、小量程下使用。

霍爾元件靈敏度是多少？

霍爾元件靈敏度KH一般在0.1~0.5mV/(mA.G)。

霍爾元件的靈敏度與霍爾系數(shù)成正比，而與霍爾元件的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，單位為mV/(mA.G)，它通常可以表征霍爾常數(shù)。另外，如果是指大學(xué)物理里的霍爾實(shí)驗(yàn)?zāi)莻€(gè)靈敏度值，具體還得看實(shí)驗(yàn)用具。

實(shí)際的霍爾元件，通常分為開關(guān)型或線性型兩種，開關(guān)型一般不標(biāo)稱靈敏度，而線性型通常電流I由內(nèi)部電路決定。因此，靈敏度的定義發(fā)生了變化。

霍爾元件能轉(zhuǎn)換哪兩個(gè)物理量？

UH=RHIB/dRH=1/nq（金屬）式中RH——霍爾系數(shù)：在磁場(chǎng)不太強(qiáng)時(shí)，霍爾電勢(shì)差UH與激勵(lì)電流I和磁感應(yīng)強(qiáng)度B的乘積成正比，與霍爾片的厚度δ成反比，即UH=RH*I*B/δ，式中的RH稱為霍爾系數(shù)，它表示霍爾效應(yīng)的強(qiáng)弱。

另RH=μ*ρ即霍爾常數(shù)等于霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。霍爾電勢(shì)差與激勵(lì)電流I

霍爾元件推導(dǎo)公式？

霍爾元件是利用霍爾效應(yīng)測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度的的磁傳感器。

原理：帶電粒子在正交的勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)中做勻速直線運(yùn)動(dòng)。

設(shè)金屬導(dǎo)體長(zhǎng)a、寬b、高c通入自左向右的電流II=neSvS=bcn自由電子密度，勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B方向垂直向里

電子在洛倫茲力作用下向上偏轉(zhuǎn)，上下面間產(chǎn)生電壓U=Ec,形成電場(chǎng)，當(dāng)電場(chǎng)力等于洛倫茲力時(shí)，電子勻速運(yùn)動(dòng)

eE=eVBB=nebU/I

霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中kb怎么求？

霍爾效應(yīng)用公式表示為：E=KBIcosθ。E為霍爾效應(yīng)電壓，單位為伏特（V）；I是霍爾器件的工作電流，單位為安培（A）；B是外部磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度，單位為特斯拉（T）θ為I與B的垂直角度的偏差，單位可以是角度（°）或弧度（rad）。K為霍爾器件的靈敏度，是常數(shù)；其單位為：V/(A.T)。一般開關(guān)型的霍爾靈敏度是指原件本身的磁開啟和關(guān)閉點(diǎn)，表示的單位大多為兩種，高斯（Gauss）與毫特斯拉（mT），10Gauss=1mT線性霍爾的靈敏度是指單位磁場(chǎng)變化時(shí)其輸出電壓的變化，一般用毫伏/高斯（mV/Gauss）或者毫伏/毫特斯拉（mV/mT）表示，換算參照開關(guān)型

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